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冷卻現(xiàn)在已成為一個(gè)非常熱門(mén)的話(huà)題。

明顯的例子是微處理器，它為現(xiàn)代生活提供了如此多的動(dòng)力。隨著芯片上晶體管數(shù)量的穩(wěn)步增加，產(chǎn)生的熱量也在穩(wěn)步增加。而且，最重要的是，由于新型設(shè)備的小型化程度和密度更高，這些熱量是在更小的面積上產(chǎn)生的。

高性能計(jì)算從半導(dǎo)體級(jí)別開(kāi)始，半導(dǎo)體級(jí)別是控制電流流動(dòng)的導(dǎo)體和絕緣體的接口，構(gòu)成了所有現(xiàn)代電子產(chǎn)品的構(gòu)建模塊。

然而，由于高功率耗散，對(duì)提高性能的持續(xù)需求產(chǎn)生了熱影響。管理功耗是決定其速度、效率和可靠性的關(guān)鍵因素。因此，擁有強(qiáng)大的熱管理解決方案對(duì)于優(yōu)化性能和延長(zhǎng)這些組件的使用壽命至關(guān)重要。

我們稱(chēng)之為“熱管理”，即用于將系統(tǒng)保持在工作溫度范圍內(nèi)的工具和技術(shù)，因?yàn)樵S多應(yīng)用的要求不僅僅是降低某物的溫度。

很少有產(chǎn)品類(lèi)別能夠免受無(wú)效熱管理的物理后果的影響。運(yùn)輸、半導(dǎo)體制造、信息技術(shù)、生命科學(xué)、消費(fèi)電子等越來(lái)越依賴(lài)于創(chuàng)新的熱管理方法。這些市場(chǎng)要求的唯一實(shí)質(zhì)性差異是功率耗散的大小。

電池電動(dòng)汽車(chē) （BEV） 牽引逆變器就是一個(gè)很好的例子。逆變器將電池提供的直流電轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)車(chē)輛的牽引電機(jī)所需的三相交流電。逆變器和電機(jī)的設(shè)計(jì)非常高效，從電池中提取的 90% 以上的電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能來(lái)驅(qū)動(dòng)車(chē)輛。損失的能量不會(huì)簡(jiǎn)單地消失，而是轉(zhuǎn)化為熱量。

BEV 中的功率逆變器是現(xiàn)代熱管理中規(guī)模問(wèn)題的一個(gè)典型例子。逆變器和電機(jī)的移動(dòng)速度為每小時(shí)千瓦 （kWh），由于卓越的熱管理，甚至個(gè)位數(shù)的收益，在短期和長(zhǎng)期內(nèi)都可以節(jié)省大量成本。這可以轉(zhuǎn)化為多個(gè)層次的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，包括續(xù)航里程、壽命和工程簡(jiǎn)單性。這意味著更低的物料清單成本。

另一個(gè)應(yīng)用是半導(dǎo)體工藝設(shè)備——用于制造微電子器件的工具。這對(duì)于保持精確、可靠和可重復(fù)的制造過(guò)程是必要的。精確的溫度控制對(duì)于確保所生產(chǎn)設(shè)備的質(zhì)量和一致性以及限制缺陷和產(chǎn)量損失是必要的。

反應(yīng)鍵合 Si/SiC 材料

RB-SiC 具有獨(dú)特的物理特性組合，包括耐高溫、低熱膨脹系數(shù)、化學(xué)惰性、高強(qiáng)度和高強(qiáng)度重量比。

對(duì)于需要高純度和耐溫性的應(yīng)用，我們生產(chǎn)幾乎任何尺寸或形狀的 RB-SiC 組件，并根據(jù)需要進(jìn)行定制，包括高平整度、大滲透深度和內(nèi)部冷卻通道。

應(yīng)用： 半導(dǎo)體制造、電動(dòng)汽車(chē) （EV） 和生命科學(xué)儀器儀表。

AI/SiC 金屬基復(fù)合材料 （MMC）

AI/SiC 金屬基復(fù)合材料 （MMC） 具有高比剛度和高熱穩(wěn)定性的獨(dú)特組合。

我們的復(fù)合材料系列可以鑄造成尺寸超過(guò) 2 m x 2 m 的結(jié)構(gòu)。

應(yīng)用：半導(dǎo)體制造、電動(dòng)汽車(chē) （EV） 和生命科學(xué)儀器儀表。

CVD 金剛石

金剛石具有所有材料中高的導(dǎo)熱性，以及硬度和高抗熱沖擊性。

我們擁有金剛石生長(zhǎng)（微波等離子體 CVD）、激光切割、研磨、拋光、研磨、激光打標(biāo)和涂層的能力，可以提供直徑達(dá) 145 毫米、厚度達(dá) 2 毫米的 CVD 金剛石材料，并且可以實(shí)現(xiàn)超過(guò) 2200 W/m-K 的導(dǎo)熱性。

應(yīng)用： 數(shù)據(jù)通信/電信、半導(dǎo)體制造和生命科學(xué)儀器儀表。

單晶 SiC

傳統(tǒng) Si 的 SiC 基電子器件的主要優(yōu)勢(shì)包括降低開(kāi)關(guān)損耗、更高的功率密度、更好的散熱和更高的帶寬能力。

我們可以大批量生產(chǎn)直徑達(dá) 200 mm 的低缺陷 6H（半絕緣）和 4H（導(dǎo)電）碳化硅晶片。

應(yīng)用：數(shù)據(jù)通信/電信、半導(dǎo)體制造、電動(dòng)汽車(chē) （EV） 和生命科學(xué)儀器儀表。

熱電冷卻器 （TEC）

TEC 是固態(tài)冰箱，具有主動(dòng)冷卻、無(wú)活動(dòng)部件和高運(yùn)行可靠性的優(yōu)勢(shì)。

應(yīng)用： 數(shù)據(jù)通信/電信、電動(dòng)汽車(chē) （EV） 和生命科學(xué)儀器儀表。